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碳納米管廠家 碳納米管粉體 超高純碳納米管
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碳納米管供應商
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信息詳情
  碳納米管的合成方法主要由以下三種:電弧放電法、激光蒸發(fā)法和化學氣相沉積法。在其中,電弧放電法的反應溫度高,碳納米管的生長速率快且制備參數(shù)不易調控,因此難以實現(xiàn)對其精細結構的控制。激光蒸發(fā)法由于設備昂貴、復雜等,現(xiàn)在已經較少使用?;瘜W氣相沉積法(CVD)是把含碳化合物分解提供碳源,然后在金屬催化劑的作用下實現(xiàn)碳納米管的生長。此方法生長氣溫較低、參數(shù)易于調控、產品產量高且碳純度也高,是當前行業(yè)內應用最廣泛的技術。

  電弧法:電弧法是最早用以制備碳納米管的方法,也是最重要的方法。其主要求是:在真空容器中充滿一定壓力的惰性氣體或氫氣,以摻有催化劑(金屬銳、鉆、鐵等)的石墨為了電極,在電弧放電的過程當中陽極石墨被蒸發(fā)消耗時,在陰極石墨上沉積碳納米管,進而生產出碳納米管。電弧放電法制備單壁納米碳管具有設備簡潔、原料易得、本錢低的優(yōu)勢,一直受到科學工作者的關注。電弧法的特點就是簡潔快速制得的碳納米管管直結晶度高,但產量不高,并且由于電弧溫度高達3000—3700C,形成的碳納米管會被燒結成束,束中還存在很多非晶碳雜質,導致較多的缺陷,電弧法目前主要用于制造單壁碳納米管。

  激光蒸發(fā)法:其原理是利用激光束照射至含有金屬的石墨靶上,將其蒸發(fā),并結合一定的反響氣體,在基底和反響腔壁上沉積出碳納米管。碳納米管的生長主要受到激光強度、生長腔的壓強及其氣體流速等因素的影響,此方法獲得的基本都是單壁碳納米管,水平高,但產量較低。激光燒蝕法合成的單壁納米碳管純度高,但所用設備比較昂貴,合成單壁納米碳管的量極其有限而且容易纏結,因此難以推廣。
  催化熱解法( CVD ) :又叫做化學氣相沉積法,含有碳的氣體流經催化劑納米顆粒外表時分解造成碳原子,在催化劑外表生成碳納米管。催化熱解法亦以催化劑存有方式不同被分為了基體法和浮游法等。基體法利用石墨或陶瓷等作載體,將催化劑附著于其上,高溫下通入含碳氣體使之分解并在催化劑顆粒上長出碳納米管。浮游法就是直接加熱催化劑前驅體使其成氣態(tài),并且與氣態(tài)氫一起被引入反響室,在不同溫區(qū)各自分解,分解的催化劑原子逐漸聚集成納米級顆粒,浮游在反響空間分解的碳原子在催化劑顆粒上析出,產生碳納米管。載體的類型、催化劑的種類和制備方法、反響氣體種類,及其流量和反響溫度等對碳納米管生長有較大影響,此方法的反響過程易于控制反響溫度相對較低,產品純度較高、本錢低、產量高、適合性強,現(xiàn)被廣泛用于碳納米管的制備。

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